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CAS325M12HM2

CAS325M12HM2

Solo per riferimento

Numero parte CAS325M12HM2
PNEDA Part # CAS325M12HM2
Descrizione MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Produttore Cree/Wolfspeed
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.002
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAS325M12HM2 Risorse

Brand Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAS325M12HM2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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CAS325M12HM2 Specifiche

ProduttoreCree/Wolfspeed
SerieZ-REC™
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETSilicon Carbide (SiC)
Tensione Drain to Source (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C444A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 400A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 105mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1127nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max3000W
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

PHKD3NQ10T,518

Nexperia

Produttore

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Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

BSL205NL6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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NTGD4167CT1G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A, 1.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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