PMDPB56XN,115
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Numero parte | PMDPB56XN,115 |
PNEDA Part # | PMDPB56XN-115 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 |
Produttore | NXP |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.862 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMDPB56XN Risorse
Brand | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | PMDPB56XN,115 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
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PMDPB56XN Specifiche
Produttore | NXP USA Inc. |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 15V |
Potenza - Max | 510mW |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020-6 |
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