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IRF6723M2DTRPBF

IRF6723M2DTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF6723M2DTRPBF
PNEDA Part # IRF6723M2DTRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.478
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF6723M2DTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF6723M2DTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF6723M2DTRPBF, IRF6723M2DTRPBF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 265,53 KB)
PDFIRF6723M2DTRPBF Datasheet Copertura
IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 8 IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 9 IRF6723M2DTRPBF Datasheet Pagina 10

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IRF6723M2DTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1380pF @ 15V
Potenza - Max2.7W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDirectFET™ Isometric MA
Pacchetto dispositivo fornitoreDIRECTFET™ MA

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

375pF @ 15V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x2)

SH8KA7GZETB

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3320pF @ 15V

Potenza - Max

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.59nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

485mA, 370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

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