IRF9910
Solo per riferimento
Numero parte | IRF9910 |
PNEDA Part # | IRF9910 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.762 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF9910 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF9910 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
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IRF9910 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A, 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Potenza - Max | 2W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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