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PHP225,118

PHP225,118

Solo per riferimento

Numero parte PHP225,118
PNEDA Part # PHP225-118
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PHP225 Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePHP225,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PHP225, PHP225 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 191,8 KB)
PDFPHP225 Datasheet Copertura
PHP225 Datasheet Pagina 2 PHP225 Datasheet Pagina 3 PHP225 Datasheet Pagina 4 PHP225 Datasheet Pagina 5 PHP225 Datasheet Pagina 6 PHP225 Datasheet Pagina 7 PHP225 Datasheet Pagina 8 PHP225 Datasheet Pagina 9 PHP225 Datasheet Pagina 10 PHP225 Datasheet Pagina 11

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  • PHP225,118 Distributor

PHP225 Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 20V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

66.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

148nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6180pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

EPM15

SH8KA4TB

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 15V

Potenza - Max

3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

FDMA1028NZ-F021

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

5.5V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

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