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KGF16N05D-400

KGF16N05D-400

Solo per riferimento

Numero parte KGF16N05D-400
PNEDA Part # KGF16N05D-400
Descrizione MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.212
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KGF16N05D-400 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKGF16N05D-400
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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KGF16N05D-400 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)5.5V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.95mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id0.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 5V
Potenza - Max2.5W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia20-UFLGA, CSP
Pacchetto dispositivo fornitore20-WLCSP (2.48x1.17)

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Diodes Incorporated

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1149pF @ 10V

Potenza - Max

1.28W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

29pF @ 25V

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Tc), 5.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 15V, 528pF @ 15V

Potenza - Max

3.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3462pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 2.5V

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