PHN210,118
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| Numero parte | PHN210,118 |
| PNEDA Part # | PHN210-118 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.264 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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PHN210 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PHN210,118 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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PHN210 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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