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ZXMD63N02XTC

ZXMD63N02XTC

Solo per riferimento

Numero parte ZXMD63N02XTC
PNEDA Part # ZXMD63N02XTC
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.592
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMD63N02XTC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMD63N02XTC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMD63N02XTC, ZXMD63N02XTC Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 785,76 KB)
PDFZXMD63N02XTC Datasheet Copertura
ZXMD63N02XTC Datasheet Pagina 2 ZXMD63N02XTC Datasheet Pagina 3 ZXMD63N02XTC Datasheet Pagina 4 ZXMD63N02XTC Datasheet Pagina 5 ZXMD63N02XTC Datasheet Pagina 6 ZXMD63N02XTC Datasheet Pagina 7 ZXMD63N02XTC Datasheet Pagina 8

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  • ZXMD63N02XTC Distributor

ZXMD63N02XTC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 15V
Potenza - Max1.04W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 25V

Potenza - Max

1.75W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI4942DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDM2509NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x5)

SI3439KDW-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

750mA, 660mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF, 113pF @ 16V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

NVMFD5C674NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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