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PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT,518

Solo per riferimento

Numero parte PHKD6N02LT,518
PNEDA Part # PHKD6N02LT-518
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.336
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PHKD6N02LT Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePHKD6N02LT,518
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PHKD6N02LT, PHKD6N02LT Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 743,74 KB)
PDFPHKD6N02LT Datasheet Copertura
PHKD6N02LT Datasheet Pagina 2 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 3 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 4 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 5 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 6 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 7 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 8 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 9 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 10 PHKD6N02LT Datasheet Pagina 11

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PHKD6N02LT Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 10V
Potenza - Max4.17W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 26A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

827pF @ 15V

Potenza - Max

800mW, 900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4840pF @ 30V

Potenza - Max

12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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MCH6663-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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