NVMFD5C650NLT1G
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| Numero parte | NVMFD5C650NLT1G |
| PNEDA Part # | NVMFD5C650NLT1G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.088 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVMFD5C650NLT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFD5C650NLT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
NVMFD5C650NLT1G, NVMFD5C650NLT1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 140,47 KB)
  
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NVMFD5C650NLT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 111A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 98µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2546pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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