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NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

Solo per riferimento

Numero parte NVMFD5C650NLT1G
PNEDA Part # NVMFD5C650NLT1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.088
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NVMFD5C650NLT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMFD5C650NLT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NVMFD5C650NLT1G, NVMFD5C650NLT1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 140,47 KB)
PDFNVMFD5C650NLT1G Datasheet Copertura
NVMFD5C650NLT1G Datasheet Pagina 2 NVMFD5C650NLT1G Datasheet Pagina 3 NVMFD5C650NLT1G Datasheet Pagina 4 NVMFD5C650NLT1G Datasheet Pagina 5 NVMFD5C650NLT1G Datasheet Pagina 6

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NVMFD5C650NLT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 98µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2546pF @ 25V
Potenza - Max3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-UFBGA, CSPBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

DMC1030UFDB-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Ta), 3.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V

Potenza - Max

1.36W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type B)

SMA5131

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

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