DMC1030UFDB-7
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| Numero parte | DMC1030UFDB-7 |
| PNEDA Part # | DMC1030UFDB-7 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.374 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC1030UFDB-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMC1030UFDB-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMC1030UFDB-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V |
| Potenza - Max | 1.36W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.4nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2607pF @ 10V Potenza - Max 2.14W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore W-DFN5020-6 |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.07nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 161pF @ 15V Potenza - Max 760mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
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