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DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC1030UFDB-7
PNEDA Part # DMC1030UFDB-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.374
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 30 - lug 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC1030UFDB-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC1030UFDB-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC1030UFDB-7, DMC1030UFDB-7 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 351,95 KB)
PDFDMC1030UFDB-7 Datasheet Copertura
DMC1030UFDB-7 Datasheet Pagina 2 DMC1030UFDB-7 Datasheet Pagina 3 DMC1030UFDB-7 Datasheet Pagina 4 DMC1030UFDB-7 Datasheet Pagina 5 DMC1030UFDB-7 Datasheet Pagina 6 DMC1030UFDB-7 Datasheet Pagina 7 DMC1030UFDB-7 Datasheet Pagina 8 DMC1030UFDB-7 Datasheet Pagina 9

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DMC1030UFDB-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Potenza - Max1.36W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

448pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

536pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type B)

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

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