NVMFD5877NLT3G
Solo per riferimento
| Numero parte | NVMFD5877NLT3G |
| PNEDA Part # | NVMFD5877NLT3G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.536 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NVMFD5877NLT3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | NVMFD5877NLT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
NVMFD5877NLT3G, NVMFD5877NLT3G Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 132,72 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- NVMFD5877NLT3G Datasheet
- where to find NVMFD5877NLT3G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NVMFD5877NLT3G
- NVMFD5877NLT3G PDF Datasheet
- NVMFD5877NLT3G Stock
- NVMFD5877NLT3G Pinout
- Datasheet NVMFD5877NLT3G
- NVMFD5877NLT3G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NVMFD5877NLT3G Price
- NVMFD5877NLT3G Distributor
NVMFD5877NLT3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3.2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 6V Potenza - Max 8.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® ChipFET™ Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Dual |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A, 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 2A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 12.5V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 12-UFBGA, DSBGA Pacchetto dispositivo fornitore 12-DSBGA |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 30V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 98µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2546pF @ 25V Potenza - Max 3.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
