NTS12100EMFST1G
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| Numero parte | NTS12100EMFST1G |
| PNEDA Part # | NTS12100EMFST1G |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 100V 12A 5DFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.066 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTS12100EMFST1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTS12100EMFST1G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
NTS12100EMFST1G, NTS12100EMFST1G Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 63,89 KB)
  
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NTS12100EMFST1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 12A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 55µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 44pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
