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NTLJD4116NT1G

NTLJD4116NT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTLJD4116NT1G
PNEDA Part # NTLJD4116NT1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.910
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTLJD4116NT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTLJD4116NT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTLJD4116NT1G, NTLJD4116NT1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 134,06 KB)
PDFNTLJD4116NT1G Datasheet Copertura
NTLJD4116NT1G Datasheet Pagina 2 NTLJD4116NT1G Datasheet Pagina 3 NTLJD4116NT1G Datasheet Pagina 4 NTLJD4116NT1G Datasheet Pagina 5 NTLJD4116NT1G Datasheet Pagina 6 NTLJD4116NT1G Datasheet Pagina 7

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NTLJD4116NT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds427pF @ 15V
Potenza - Max710mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A, 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 15V

Potenza - Max

1.24W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 24V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

Potenza - Max

3.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N Channel (Phase Leg)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

295A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

644nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 1000V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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