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DMNH6021SPDWQ-13

DMNH6021SPDWQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMNH6021SPDWQ-13
PNEDA Part # DMNH6021SPDWQ-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.138
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMNH6021SPDWQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMNH6021SPDWQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMNH6021SPDWQ-13, DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 490,68 KB)
PDFDMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Copertura
DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 2 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 3 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 4 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 5 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 6 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 7

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  • DMNH6021SPDWQ-13 Distributor

DMNH6021SPDWQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.63Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

Potenza - Max

650mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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