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NTD4815N-35G

NTD4815N-35G

Solo per riferimento

Numero parte NTD4815N-35G
PNEDA Part # NTD4815N-35G
Descrizione MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.844
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTD4815N-35G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTD4815N-35G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTD4815N-35G, NTD4815N-35G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 140,51 KB)
PDFNVD4815NT4G Datasheet Copertura
NVD4815NT4G Datasheet Pagina 2 NVD4815NT4G Datasheet Pagina 3 NVD4815NT4G Datasheet Pagina 4 NVD4815NT4G Datasheet Pagina 5 NVD4815NT4G Datasheet Pagina 6 NVD4815NT4G Datasheet Pagina 7 NVD4815NT4G Datasheet Pagina 8

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NTD4815N-35G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.9A (Ta), 35A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.1nC @ 11.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-PAK
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Stub Leads, IPak

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 5V

Vgs (massimo)

±13V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

MIC94030YM4-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

TinyFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

16V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

568mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

IRFS7730TRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

407nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13660pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Produttore

IXYS

Serie

TrenchMV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

550W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3, Short Tab

BSS169L6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 7V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

68pF @ 25V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Venduto di recente

TPSE226K035R0200

TPSE226K035R0200

CAP TANT 22UF 10% 35V 2917

MMSZ4696T1G

MMSZ4696T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123

CLF7045T-2R2N

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TDK

FIXED IND 2.2UH 4.3A 14.6 MOHM

ADG3304BRUZ

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Analog Devices

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 14TSSOP

SSM2166SZ

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IC PREAMP AUDIO MONO MIC 14SOIC

MAX3100EEE

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IC UART SPI/MICRWIRE COMP 16QSOP

3296W-1-103LF

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Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN TOP

20IMX35D05D05-8G

20IMX35D05D05-8G

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DC DC CONVERTER 5V 5V 5V 35W

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MT25QU128ABA8ESF-0SIT

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IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

SA555D

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IC OSC SINGLE TIMER 8-SOP

LTC1569CS8-6#PBF

LTC1569CS8-6#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC FILTER 64KHZ LINEAR PHS 8SOIC