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NSVF5501SKT3G

NSVF5501SKT3G

Solo per riferimento

Numero parte NSVF5501SKT3G
PNEDA Part # NSVF5501SKT3G
Descrizione RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 6.462
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NSVF5501SKT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVF5501SKT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NSVF5501SKT3G, NSVF5501SKT3G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 133,73 KB)
PDFNSVF5501SKT3G Datasheet Copertura
NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 2 NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 3 NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 4 NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 5 NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 6 NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 7 NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 8 NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 9 NSVF5501SKT3G Datasheet Pagina 10

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NSVF5501SKT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB @ 1GHz
Guadagno11dB
Potenza - Max250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-623F
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-623/SSFP

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

2SC5227A-5-TB-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CP

BFR193WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10.5dB ~ 16dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

2001

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

JANTX2N4957UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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