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JANTX2N4957UB

JANTX2N4957UB

Solo per riferimento

Numero parte JANTX2N4957UB
PNEDA Part # JANTX2N4957UB
Descrizione RF TRANS PNP 30V 30MA UB
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.330
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX2N4957UB Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX2N4957UB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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JANTX2N4957UB Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorPNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
Guadagno25dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreUB

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Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MAPR-000912-500S00

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.44dB ~ 9.77dB

Potenza - Max

500W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

52.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFP720FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

45GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

10dB ~ 29dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

8.3dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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MRF555

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Frequenza - Transizione

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Figura di rumore (dB Typ @ f)

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Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

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