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NJL4281DG

NJL4281DG

Solo per riferimento

Numero parte NJL4281DG
PNEDA Part # NJL4281DG
Descrizione TRANS NPN 350V 15A TO264
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.352
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NJL4281DG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNJL4281DG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NJL4281DG, NJL4281DG Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 71,91 KB)
PDFNJL4302DG Datasheet Copertura
NJL4302DG Datasheet Pagina 2 NJL4302DG Datasheet Pagina 3 NJL4302DG Datasheet Pagina 4 NJL4302DG Datasheet Pagina 5 NJL4302DG Datasheet Pagina 6 NJL4302DG Datasheet Pagina 7

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NJL4281DG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN + Diode (Isolated)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)350V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 800mA, 8A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5A, 5V
Potenza - Max230W
Frequenza - Transizione35MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-5
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

Potenza - Max

65W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

2SA1931,NETQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220NIS

JAN2N4235

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2PC4617RMB,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1006B-3

2SA1418S-TD-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 25mA, 250mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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