ISL6612AIBZ-T
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| Numero parte | ISL6612AIBZ-T |
| PNEDA Part # | ISL6612AIBZ-T |
| Descrizione | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC |
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.030 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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ISL6612AIBZ-T Risorse
| Brand | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ISL6612AIBZ-T |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
ISL6612AIBZ-T, ISL6612AIBZ-T Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 667,55 KB)
  
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ISL6612AIBZ-T Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Synchronous |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10.8V ~ 13.2V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 1.25A, 2A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 26ns, 18ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 4 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8.5V ~ 15V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.4A, 1.3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 95V Tempo di salita / discesa (tipico) 9ns, 9ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.5A, 1.5A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 25ns, 25ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Maxim Integrated Serie - Configurazione guidata - Tipo di canale - Numero di driver - Tipo di porta - Tensione - Alimentazione - Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 28ns, 32ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 210mA, 360mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 100ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
