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NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

Solo per riferimento

Numero parte NGTD20T120F2WP
PNEDA Part # NGTD20T120F2WP
Descrizione IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NGTD20T120F2WP Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGTD20T120F2WP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
NGTD20T120F2WP, NGTD20T120F2WP Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 87,86 KB)
PDFNGTD20T120F2SWK Datasheet Copertura
NGTD20T120F2SWK Datasheet Pagina 2 NGTD20T120F2SWK Datasheet Pagina 3

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NGTD20T120F2WP Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

I prodotti a cui potresti essere interessato

MGB15N40CLT4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

440V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 25A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/4µs

Condizione di test

300V, 6.5A, 1kOhm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRGP4266D-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

455W

Switching Energy

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/200ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

170ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

RGS80TS65HRC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

73A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

272W

Switching Energy

1.05mJ (on), 1.03mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

48nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

37ns/112ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

STGWT80V60F

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469W

Switching Energy

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

448nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/220ns

Condizione di test

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

APT65GP60L2DQ2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

198A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 65A

Potenza - Max

833W

Switching Energy

605µJ (on), 895µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/90ns

Condizione di test

400V, 65A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Venduto di recente

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2SA2222SG

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