APT65GP60L2DQ2G
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| Numero parte | APT65GP60L2DQ2G |
| PNEDA Part # | APT65GP60L2DQ2G |
| Descrizione | IGBT 600V 198A 833W TO264 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.838 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT65GP60L2DQ2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT65GP60L2DQ2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT65GP60L2DQ2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 198A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 250A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Potenza - Max | 833W |
| Switching Energy | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/90ns |
| Condizione di test | 400V, 65A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.07V @ 15V, 75A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
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