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NGTB25N120FL3WG

NGTB25N120FL3WG

Solo per riferimento

Numero parte NGTB25N120FL3WG
PNEDA Part # NGTB25N120FL3WG
Descrizione IGBT 1200V 100A TO247
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 7.596
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NGTB25N120FL3WG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGTB25N120FL3WG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
NGTB25N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 154,6 KB)
PDFNGTB25N120FL3WG Datasheet Copertura
NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 2 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 3 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 4 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 5 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 6 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 7 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 8 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 9 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 10 NGTB25N120FL3WG Datasheet Pagina 11

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NGTB25N120FL3WG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
Potenza - Max349W
Switching Energy1mJ (on), 700µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge136nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C15ns/109ns
Condizione di test600V, 25A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)114ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

95A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

235A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

937W

Switching Energy

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

147nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/230ns

Condizione di test

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268HV (IXYT)

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

240A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Potenza - Max

830W

Switching Energy

10mJ (on), 33mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

420nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/490ns

Condizione di test

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXGK)

STGP19NC60HD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

130W

Switching Energy

85µJ (on), 189µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

53nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/97ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

MGP15N40CLG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

440V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 25A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/4µs

Condizione di test

300V, 6.5A, 1kOhm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

APT54GA60B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

96A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

161A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Potenza - Max

416W

Switching Energy

534µJ (on), 466µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

158nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/112ns

Condizione di test

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Venduto di recente

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