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NESG250134-T1-AZ

NESG250134-T1-AZ

Solo per riferimento

Numero parte NESG250134-T1-AZ
PNEDA Part # NESG250134-T1-AZ
Descrizione RF TRANS NPN 9.2V 10GHZ 3MIIMOLD
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.814
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NESG250134-T1-AZ Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNESG250134-T1-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NESG250134-T1-AZ, NESG250134-T1-AZ Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 1.158,77 KB)
PDFNESG250134-T1-AZ Datasheet Copertura
NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 2 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 3 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 4 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 5 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 6 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 7 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 8 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 9 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 10 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 11

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NESG250134-T1-AZ Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)9.2V
Frequenza - Transizione10GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno23dB
Potenza - Max1.5W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitore3-PowerMiniMold

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

14.5dB

Potenza - Max

330W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 10A, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M177

Pacchetto dispositivo fornitore

M177

MS2473

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6dB

Potenza - Max

2300W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M112

Pacchetto dispositivo fornitore

M112

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFP460E6327HTSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.8V

Frequenza - Transizione

22GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

Guadagno

12.5dB ~ 26.5dB

Potenza - Max

230mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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