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NESG250134-T1-AZ

NESG250134-T1-AZ

Solo per riferimento

Numero parte NESG250134-T1-AZ
PNEDA Part # NESG250134-T1-AZ
Descrizione RF TRANS NPN 9.2V 10GHZ 3MIIMOLD
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.814
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NESG250134-T1-AZ Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNESG250134-T1-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NESG250134-T1-AZ, NESG250134-T1-AZ Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 1.158,77 KB)
PDFNESG250134-T1-AZ Datasheet Copertura
NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 2 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 3 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 4 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 5 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 6 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 7 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 8 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 9 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 10 NESG250134-T1-AZ Datasheet Pagina 11

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NESG250134-T1-AZ Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)9.2V
Frequenza - Transizione10GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno23dB
Potenza - Max1.5W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitore3-PowerMiniMold

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Microsemi

Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

88W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55KT

Pacchetto dispositivo fornitore

55KT

BFS 483 E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

19dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

BFP540FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

30GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

14.5dB

Potenza - Max

330W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 10A, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Temperatura di esercizio

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