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NE68833-T1-A

NE68833-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte NE68833-T1-A
PNEDA Part # NE68833-T1-A
Descrizione RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT23
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.472
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NE68833-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68833-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68833-T1-A, NE68833-T1-A Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 347,59 KB)
PDFNE68833-T1-A Datasheet Copertura
NE68833-T1-A Datasheet Pagina 2 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 3 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 4 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 5 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 6 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 7 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 8 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 9 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 10 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 11

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NE68833-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Guadagno-
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 3mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

75112

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFP405E6327BTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

75mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

BFP640FE6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

40GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

MRF5812GR1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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