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MRF5812GR1

MRF5812GR1

Solo per riferimento

Numero parte MRF5812GR1
PNEDA Part # MRF5812GR1
Descrizione RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF5812GR1 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF5812GR1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MRF5812GR1, MRF5812GR1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 121,5 KB)
PDFMRF5812GR1 Datasheet Copertura
MRF5812GR1 Datasheet Pagina 2 MRF5812GR1 Datasheet Pagina 3 MRF5812GR1 Datasheet Pagina 4 MRF5812GR1 Datasheet Pagina 5

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MRF5812GR1 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 500MHz
Guadagno13dB ~ 15.5dB
Potenza - Max1.25W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

45GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

10.5dB ~ 28dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 13mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

30W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

332A-03

Pacchetto dispositivo fornitore

332A-03, Style 2

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-623F

Pacchetto dispositivo fornitore

M03

BFP 196R E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10.5dB ~ 16.5dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

BFP780H6327XTSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6.1V

Frequenza - Transizione

900MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz

Guadagno

27dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

85 @ 90mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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