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NE68519-A

NE68519-A

Solo per riferimento

Numero parte NE68519-A
PNEDA Part # NE68519-A
Descrizione RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.706
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE68519-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68519-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68519-A, NE68519-A Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 2.196,28 KB)
PDF2SC5010-A Datasheet Copertura
2SC5010-A Datasheet Pagina 2 2SC5010-A Datasheet Pagina 3 2SC5010-A Datasheet Pagina 4 2SC5010-A Datasheet Pagina 5 2SC5010-A Datasheet Pagina 6 2SC5010-A Datasheet Pagina 7 2SC5010-A Datasheet Pagina 8 2SC5010-A Datasheet Pagina 9

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NE68519-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione12GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB @ 2GHz
Guadagno11dB
Potenza - Max125mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-523

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CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

11dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

BFR 181W E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

19dB

Potenza - Max

175mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

2N2857UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

82094

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

KSC2786RTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

18dB ~ 22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

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