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KSC2786RTA

KSC2786RTA

Solo per riferimento

Numero parte KSC2786RTA
PNEDA Part # KSC2786RTA
Descrizione RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KSC2786RTA Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKSC2786RTA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
KSC2786RTA, KSC2786RTA Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 72,26 KB)
PDFKSC2786RTA Datasheet Copertura
KSC2786RTA Datasheet Pagina 2 KSC2786RTA Datasheet Pagina 3 KSC2786RTA Datasheet Pagina 4 KSC2786RTA Datasheet Pagina 5 KSC2786RTA Datasheet Pagina 6 KSC2786RTA Datasheet Pagina 7

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KSC2786RTA Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Frequenza - Transizione600MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
Guadagno18dB ~ 22dB
Potenza - Max250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 1mA, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Short Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92S

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

67 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFR380L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

7.5dB ~ 16.5dB

Potenza - Max

380mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 40mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSLP-3-1

1214-370M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.7dB ~ 9dB

Potenza - Max

600W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

BFY90

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.5dB ~ 5dB @ 500MHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 25mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

NSVF4009SG4T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Guadagno

17dB

Potenza - Max

120mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-82FL/MCPH4

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