NDT01N60T1G
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| Numero parte | NDT01N60T1G |
| PNEDA Part # | NDT01N60T1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.012 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NDT01N60T1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NDT01N60T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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NDT01N60T1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 200mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 (TO-261) |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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Produttore IXYS Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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Produttore IXYS Integrated Circuits Division Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs 44Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V Funzione FET Depletion Mode Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
