EPC2012C
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Numero parte | EPC2012C | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | EPC2012C | ||||||||||||||||||
Descrizione | GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE | ||||||||||||||||||
Produttore | EPC | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 1.650 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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EPC2012C Risorse
Brand | EPC |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | EPC2012C |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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EPC2012C Specifiche
Produttore | EPC |
Serie | eGaN® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
Vgs (massimo) | +6V, -4V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die Outline (4-Solder Bar) |
Pacchetto / Custodia | Die |
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