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NDS8926

NDS8926

Solo per riferimento

Numero parte NDS8926
PNEDA Part # NDS8926
Descrizione MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $20,8430
100 ---------- $19,8660
250 ---------- $18,8890
500 ---------- $17,9120
750 ---------- $17,0978
1.000 ---------- $16,2836
Disponibile 39
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NDS8926 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNDS8926
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NDS8926, NDS8926 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 63,16 KB)
PDFNDS8926 Datasheet Copertura
NDS8926 Datasheet Pagina 2 NDS8926 Datasheet Pagina 3 NDS8926 Datasheet Pagina 4 NDS8926 Datasheet Pagina 5 NDS8926 Datasheet Pagina 6

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NDS8926 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 10V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-8

SI4228DY-T1-E3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 12.5V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

CSD88539NDT

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

741pF @ 30V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NTTD1P02R2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.45A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 16V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

251pF @ 25V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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