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IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRFHM792TRPBF
PNEDA Part # IRFHM792TRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFHM792TRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFHM792TRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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IRFHM792TRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds251pF @ 25V
Potenza - Max2.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

725mA, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

83pF @ 10V

Potenza - Max

280mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-PQFN (2x2)

BUK7K6R8-40E,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1947pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A, 12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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