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N25Q008A11EF640F TR

N25Q008A11EF640F TR

Solo per riferimento

Numero parte N25Q008A11EF640F TR
PNEDA Part # N25Q008A11EF640F-TR
Descrizione IC FLASH 8M SPI 108MHZ SOIC
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

N25Q008A11EF640F TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteN25Q008A11EF640F TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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N25Q008A11EF640F TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock108MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (5x6)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (8M x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

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