CAT24C128WI-GT3
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| Numero parte | CAT24C128WI-GT3 |
| PNEDA Part # | CAT24C128WI-GT3 |
| Descrizione | IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 139.646 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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CAT24C128WI-GT3 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CAT24C128WI-GT3 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CAT24C128WI-GT3, CAT24C128WI-GT3 Datasheet
(Totale pagine: 16, Dimensioni: 351,62 KB)
  
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CAT24C128WI-GT3 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 1MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | 400ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
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