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MX29LV800CBXHI-90G

MX29LV800CBXHI-90G

Solo per riferimento

Numero parte MX29LV800CBXHI-90G
PNEDA Part # MX29LV800CBXHI-90G
Descrizione IC FLASH 8M PARALLEL 48WFBGA
Produttore Macronix
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Disponibile 6.282
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MX29LV800CBXHI-90G Risorse

Brand Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX29LV800CBXHI-90G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MX29LV800CBXHI-90G, MX29LV800CBXHI-90G Datasheet (Totale pagine: 76, Dimensioni: 3.333,48 KB)
PDFMX29LV800CTMI-55Q Datasheet Copertura
MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 2 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 3 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 4 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 5 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 6 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 7 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 8 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 9 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 10 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 11

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MX29LV800CBXHI-90G Specifiche

ProduttoreMacronix
SerieMX29LV
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina90ns
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-WFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-WFBGA, CSP (4x6)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

N25Q008A11EF640F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

CY7C1613KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

144Mb (8M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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