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MVDF1N05ER2G

MVDF1N05ER2G

Solo per riferimento

Numero parte MVDF1N05ER2G
PNEDA Part # MVDF1N05ER2G
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.024
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MVDF1N05ER2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMVDF1N05ER2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MVDF1N05ER2G, MVDF1N05ER2G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 110,17 KB)
PDFMMDF1N05ER2G Datasheet Copertura
MMDF1N05ER2G Datasheet Pagina 2 MMDF1N05ER2G Datasheet Pagina 3 MMDF1N05ER2G Datasheet Pagina 4 MMDF1N05ER2G Datasheet Pagina 5

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MVDF1N05ER2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 38V

Potenza - Max

15.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 10V

Potenza - Max

450mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.5x6.0)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 20V

Potenza - Max

2.75W, 2.95W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

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