Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

Solo per riferimento

Numero parte TPC8405(TE12L,Q,M)
PNEDA Part # TPC8405-TE12L-Q-M
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TPC8405(TE12L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTPC8405(TE12L,Q,M)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • TPC8405(TE12L,Q,M) Datasheet
  • where to find TPC8405(TE12L,Q,M)
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage TPC8405(TE12L,Q,M)
  • TPC8405(TE12L,Q,M) PDF Datasheet
  • TPC8405(TE12L,Q,M) Stock

  • TPC8405(TE12L,Q,M) Pinout
  • Datasheet TPC8405(TE12L,Q,M)
  • TPC8405(TE12L,Q,M) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • TPC8405(TE12L,Q,M) Price
  • TPC8405(TE12L,Q,M) Distributor

TPC8405(TE12L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 10V
Potenza - Max450mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP (5.5x6.0)

I prodotti a cui potresti essere interessato

2N7002PSZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

320mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

280mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

DMP1055UFDB-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1028pF @ 6V

Potenza - Max

1.36W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type B)

SI4952DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 13V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IRF7319PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

TT8J2TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSST

Venduto di recente

ADA4805-2ARMZ-R7

ADA4805-2ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

CDSOD323-T24C

CDSOD323-T24C

Bourns

TVS DIODE 24V 56V SOD323

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

LTC1726IS8-2.5#PBF

LTC1726IS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRPL SPLY MONITOR 2.5V 8-SOIC

PIC16F1509-I/SS

PIC16F1509-I/SS

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 20SSOP

XC3S200AN-4FTG256C

XC3S200AN-4FTG256C

Xilinx

IC FPGA 195 I/O 256FTBGA

MMBT2222

MMBT2222

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

16SVPF180M

16SVPF180M

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD

045901.5UR

045901.5UR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1.5A 125VAC/VDC SMD

M93C46-WBN6

M93C46-WBN6

STMicroelectronics

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP

MCP42050-E/SL

MCP42050-E/SL

Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

NC7WZ00K8X

NC7WZ00K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 2CH 2-INP US8