MURTA60040
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| Numero parte | MURTA60040 |
| PNEDA Part # | MURTA60040 |
| Descrizione | DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.700 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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MURTA60040 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURTA60040 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MURTA60040 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 600A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 300A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 220ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Configurazione diodi 4 Independent Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 75V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 400mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 5ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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