MURS160T3G
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| Numero parte | MURS160T3G |
| PNEDA Part # | MURS160T3G |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 2A SMB |
| Prezzo unitario |
|
| Disponibile | 307.046 |
| Magazzini | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
| Pagamento |  |
| Spedizione |  |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Garanzia | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
MURS160T3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| Mfr. Numero di parte | MURS160T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
MURS160T3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 8A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 160µA @ 600V Capacità @ Vr, F 291pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FM Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 12ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 30V Capacità @ Vr, F 175pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/590 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 220V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 1.2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 220V Capacità @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, E Pacchetto dispositivo fornitore D-5B Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore SMC Diode Solutions Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 860mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 150V Capacità @ Vr, F 110pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore SMC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 8A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 70µA @ 600V Capacità @ Vr, F 240pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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