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MURS160T3G

MURS160T3G MURS160T3G

Solo per riferimento

Numero parte MURS160T3G
PNEDA Part # MURS160T3G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
Prezzo unitario
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
Disponibile 307.046
Magazzini USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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MURS160T3G Risorse

Brand ON Semiconductor
Mfr. Numero di parteMURS160T3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MURS160T3G, MURS160T3G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 181,28 KB)
PDFMURS105T3 Datasheet Copertura
MURS105T3 Datasheet Pagina 2 MURS105T3 Datasheet Pagina 3 MURS105T3 Datasheet Pagina 4 MURS105T3 Datasheet Pagina 5 MURS105T3 Datasheet Pagina 6

MURS160T3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreSMB
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

160µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

291pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FM

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

BAT1000TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

12ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

175pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

JAN1N6626US

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

220V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 1.2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 220V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, E

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

30BQ150TR

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

860mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

SMC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

IDH08SG60CXKSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

70µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

240pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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