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MUBW30-12A6K

MUBW30-12A6K

Solo per riferimento

Numero parte MUBW30-12A6K
PNEDA Part # MUBW30-12A6K
Descrizione MODULE IGBT CBI E1
Produttore IXYS
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Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MUBW30-12A6K Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUBW30-12A6K
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MUBW30-12A6K, MUBW30-12A6K Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 254,46 KB)
PDFMUBW30-12A6 Datasheet Copertura
MUBW30-12A6 Datasheet Pagina 2 MUBW30-12A6 Datasheet Pagina 3 MUBW30-12A6 Datasheet Pagina 4 MUBW30-12A6 Datasheet Pagina 5

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MUBW30-12A6K Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneThree Phase Inverter with Brake
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Potenza - Max130W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 30A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1nF @ 25V
InputThree Phase Bridge Rectifier
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaE1
Pacchetto dispositivo fornitoreE1

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

66A

Potenza - Max

330W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

ECONO2 4PACK

APTGTQ200DA65T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Boost Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

483W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3F

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™2

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.35nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

F3L25R12W1T4B27BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Potenza - Max

36W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.74nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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