APTGTQ200DA65T3G
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| Numero parte | APTGTQ200DA65T3G |
| PNEDA Part # | APTGTQ200DA65T3G |
| Descrizione | POWER MODULE - IGBT |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.100 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTGTQ200DA65T3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGTQ200DA65T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTGTQ200DA65T3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Boost Chopper |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 200A |
| Potenza - Max | 483W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 200µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 12nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3F |
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Produttore Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ Tipo IGBT - Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Potenza - Max 672W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 17.5nF @ 10V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
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