MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR
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| Numero parte | MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR |
| PNEDA Part # | MT53D1024M64D8NW-062-WT-D-TR |
| Descrizione | IC DRAM 64G 1600MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.078 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Dimensione della memoria | 64Gb (1G x 64) |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | 1600MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.1V |
| Temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 432-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 432-VFBGA (15x15) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 2Kb (256 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 450ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-P Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 100ns Tempo di accesso 100ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 56-TSOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (256 x 8 x 2) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74A, SOT-753 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-5 |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
