S29GL512P10TFCR10D
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| Numero parte | S29GL512P10TFCR10D |
| PNEDA Part # | S29GL512P10TFCR10D |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.472 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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S29GL512P10TFCR10D Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S29GL512P10TFCR10D |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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S29GL512P10TFCR10D Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-P |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 100ns |
| Tempo di accesso | 100ns |
| Tensione - Alimentazione | 3V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
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Produttore Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 100ns Tempo di accesso 100ns Tensione - Alimentazione 4.75V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-DIP Module (18.42x37.72) |
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