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MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

Solo per riferimento

Numero parte MT40A2G4WE-075E:B TR
PNEDA Part # MT40A2G4WE-075E-B-TR
Descrizione IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 7.146
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT40A2G4WE-075E:B TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT40A2G4WE-075E:B TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT40A2G4WE-075E:B TR, MT40A2G4WE-075E:B TR Datasheet (Totale pagine: 391, Dimensioni: 11.348,46 KB)
PDFMT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Copertura
MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 2 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 3 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 4 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 5 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 6 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 7 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 8 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 9 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 10 MT40A512M16LY-062E IT:E TR Datasheet Pagina 11

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MT40A2G4WE-075E:B TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR4
Dimensione della memoria8Gb (2G x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1.33GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (8x12)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

MT40A256M16GE-075E:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.333GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

19ns

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (9x14)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

93AA56C-I/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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