MT40A2G4WE-075E:B TR
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| Numero parte | MT40A2G4WE-075E:B TR |
| PNEDA Part # | MT40A2G4WE-075E-B-TR |
| Descrizione | IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.146 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT40A2G4WE-075E:B TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT40A2G4WE-075E:B TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT40A2G4WE-075E:B TR, MT40A2G4WE-075E:B TR Datasheet
(Totale pagine: 391, Dimensioni: 11.348,46 KB)
  
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MT40A2G4WE-075E:B TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
| Dimensione della memoria | 8Gb (2G x 4) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 1.33GHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.26V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 78-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x12) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 1.333GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 19ns Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 96-FBGA (9x14) |
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