MT3S113P(TE12L,F)
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| Numero parte | MT3S113P(TE12L,F) |
| PNEDA Part # | MT3S113P-TE12L-F |
| Descrizione | RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 22.212 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT3S113P(TE12L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT3S113P(TE12L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MT3S113P(TE12L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 5.3V |
| Frequenza - Transizione | 7.7GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Guadagno | 10.5dB |
| Potenza - Max | 1.6W |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-243AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PW-MINI |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Frequenza - Transizione 1GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno 6.8dB Potenza - Max 39W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 5A Temperatura di esercizio 200°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia 55LT Pacchetto dispositivo fornitore 55LT |
Produttore CEL Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 15V Frequenza - Transizione 5.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Guadagno 7dB Potenza - Max 2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 250mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore SOT-89 |
Produttore CEL Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 4.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz Guadagno - Potenza - Max 125mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-623F Pacchetto dispositivo fornitore 3-SuperMiniMold (M03) |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 65V Frequenza - Transizione 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno 8dB Potenza - Max 400W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 12A Temperatura di esercizio 250°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia M218 Pacchetto dispositivo fornitore M218 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno - Potenza - Max - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
