MT28F640J3BS-115 ET
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| Numero parte | MT28F640J3BS-115 ET |
| PNEDA Part # | MT28F640J3BS-115-ET |
| Descrizione | IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.420 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT28F640J3BS-115 ET Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT28F640J3BS-115 ET |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT28F640J3BS-115 ET, MT28F640J3BS-115 ET Datasheet
(Totale pagine: 55, Dimensioni: 784,78 KB)
  
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MT28F640J3BS-115 ET Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH |
| Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 115ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 64-FBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (10x13) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 256Kb (16K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 128-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 128-TQFP (14x20) |
