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MT28F640J3BS-115 ET

MT28F640J3BS-115 ET

Solo per riferimento

Numero parte MT28F640J3BS-115 ET
PNEDA Part # MT28F640J3BS-115-ET
Descrizione IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.420
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28F640J3BS-115 ET Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28F640J3BS-115 ET
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28F640J3BS-115 ET, MT28F640J3BS-115 ET Datasheet (Totale pagine: 55, Dimensioni: 784,78 KB)
PDFMT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Copertura
MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 2 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 3 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 4 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 5 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 6 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 7 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 8 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 9 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 10 MT28F640J3RP-115 MET TR Datasheet Pagina 11

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MT28F640J3BS-115 ET Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso115ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-FBGA (10x13)

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Produttore

AKM Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (1K x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

5MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

70V9269S12PRFI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

128-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

128-TQFP (14x20)

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

CY22E016L-SZ45XI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

71256L25DB

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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