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MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR

MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR

Solo per riferimento

Numero parte MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR
PNEDA Part # MT25QU01GBBB8ESF-0SIT-TR
Descrizione IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.780
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR, MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR Datasheet (Totale pagine: 94, Dimensioni: 1.237,41 KB)
PDFMT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Copertura
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 2 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 3 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 4 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 5 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 6 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 7 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 8 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 9 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 10 MT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 11

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MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SO

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-CABGA (9x9)

M24512-RMB6TG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

500ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UFDFPN (2x3)

CY7C1338B-100AC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4Mb (128K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

24LC04BT-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 8 x 2)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS43DR16128C-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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